Proceso para ataque profundo de silicio
Objetivo
Fabricación de matrices de columnas y agujeros con elevada relación de aspecto.
Resultados
Obtención de dispositivos microfluidicos con estructuras de elevada relación de aspecto.
![Proceso para ataque profundo de silicio](https://www.tekniker.es/media/uploads/casos_exito/CE_Proceso_ataque_profundo_silicio.jpg)
Existen aplicaciones como la separación de células por tamaños, que requieren de la fabricación de postes con una elevada relación de aspecto. Para su fabricación es necesario conseguir ataques profundos y anisotrópicos, que se obtienen mediante un proceso combinado y multiplexado de pasos de pasivación con un plasma de C4F8 y de ataque empleando un plasma SF6.
Este tipo de procesos se pueden emplear también para la fabricación de sistemas microelectromecánicos (microelectromechanical systems, MEMS).