Proceso para ataque profundo de silicio
Objetivo
Fabricación de matrices de columnas y agujeros con elevada relación de aspecto.
Resultados
Obtención de dispositivos microfluidicos con estructuras de elevada relación de aspecto.
Existen aplicaciones como la separación de células por tamaños, que requieren de la fabricación de postes con una elevada relación de aspecto. Para su fabricación es necesario conseguir ataques profundos y anisotrópicos, que se obtienen mediante un proceso combinado y multiplexado de pasos de pasivación con un plasma de C4F8 y de ataque empleando un plasma SF6.
Este tipo de procesos se pueden emplear también para la fabricación de sistemas microelectromecánicos (microelectromechanical systems, MEMS).