Plasma bidezko erasoa
Ioi erreaktiboen bidezko erasoa mikro eta nanofabrikazioan erabiltzen den teknologia bat da. Ohiko eraso hezeen ez bezalako ezaugarriak erabiltzen ditu. Halako erasoetan, presio baxuko plasma bat sortzen da (goi-hutsa) eremu elektromagnetiko baten bidez. Plasmako ioiek, energia handia dutenez, substratuaren gainazalari eraso egin eta harekin erreakzionatzen dute.
TEKNIKERen, silizio-, oxido- eta nitruro-eraso selektiboak egin daitezke 4 hazbete bitarteko substratuetan, akoplamendu induktiboko plasma baten bidez, hainbat gas erabiliz (SF6, C4F8, CHF3…). Halaber, NIL prozesuetan hondar-geruza kentzeko, garbiketa-prozesuak egiteko eta gainazalak aktibatzeko prozesuak ere egin daitezke oxigeno-plasmaren bidez.
Hona hemen teknologia honen ezaugarri nabarmengarrienak:
- Kontrolatzeko moduko isotropia/anisotropia duen prozesu fisiko-kimikoa.
- Erasotzeko gai diren materialen aukera handia.
- Bosch prozesuaren bidez (eraso-plasmak eta pasibatzaile alternatiboak erabiliz) eraso sakonak egiteko aukera.
