Plasma bidezko erasoa
![Plasma bidezko erasoa](https://www.tekniker.es/media/uploads/areas/02_AI_FA_Ataque_por_plasma.jpg)
Ioi erreaktiboen bidezko erasoa mikro eta nanofabrikazioan erabiltzen den teknologia bat da. Ohiko eraso hezeen ez bezalako ezaugarriak erabiltzen ditu. Halako erasoetan, presio baxuko plasma bat sortzen da (goi-hutsa) eremu elektromagnetiko baten bidez. Plasmako ioiek, energia handia dutenez, substratuaren gainazalari eraso egin eta harekin erreakzionatzen dute.
TEKNIKERen, silizio-, oxido- eta nitruro-eraso selektiboak egin daitezke 4 hazbete bitarteko substratuetan, akoplamendu induktiboko plasma baten bidez, hainbat gas erabiliz (SF6, C4F8, CHF3…). Halaber, NIL prozesuetan hondar-geruza kentzeko, garbiketa-prozesuak egiteko eta gainazalak aktibatzeko prozesuak ere egin daitezke oxigeno-plasmaren bidez.
Hona hemen teknologia honen ezaugarri nabarmengarrienak:
- Kontrolatzeko moduko isotropia/anisotropia duen prozesu fisiko-kimikoa.
- Erasotzeko gai diren materialen aukera handia.
- Bosch prozesuaren bidez (eraso-plasmak eta pasibatzaile alternatiboak erabiliz) eraso sakonak egiteko aukera.